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SIE882DF-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 60 A, 0.0014 ohm, PolarPAK, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIE882DF-T1-GE3
No. Parte Newark35R6190
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia de Activación Rds(on)0.0014ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0014
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd5.2W
Diseño de TransistorPolarPAK
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia5.2
No. de Pines10Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0014ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
5.2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
10Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0014
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PolarPAK
Disipación de Potencia
5.2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto