Imprimir página
SI7898DP-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 4.8 A, 85 mohm, SOIC, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7898DP-T1-E3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)06J8174
Cinta adhesiva06J8174
Su número de pieza
3,000 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.660 | $2.66 |
| Total Precio | $2.66 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.660 |
| 25+ | $1.770 |
| 50+ | $1.590 |
| 100+ | $1.410 |
| 250+ | $1.300 |
| 500+ | $1.190 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7898DP-T1-E3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)06J8174
Cinta adhesiva06J8174
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id4.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente85
Resistencia de Activación Rds(on)0.095ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd5W
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorSOIC
Disipación de Potencia5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI7898DP-T1-E3 es un MOSFET de potencia en modo N de TrenchFET® de 150 VDS adecuado para aplicaciones de interruptor de lado primario de fuente de alimentación de CD a CD y controlador de motor industrial.
- Nuevo paquete PowerPAK® de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1.07 mm
- Optimizado para PWM
- Conmutación rápida
- Probado Rg 100%
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
85
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Diseño de Transistor
SOIC
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4.8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.095ohm
Disipación de Potencia Pd
5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto