Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7850ADP-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark
Hilado completo01AM0555
Cinta adhesiva50AC9667
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Su número de pieza
29,623 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.990 | $9.95 |
| Total Precio | $9.95 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.990 |
| 10+ | $1.270 |
| 25+ | $1.130 |
| 50+ | $0.989 |
| 100+ | $0.850 |
| 250+ | $0.761 |
| 500+ | $0.672 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.103 |
| 6000+ | $0.084 |
| 12000+ | $0.073 |
| 18000+ | $0.068 |
| 30000+ | $0.059 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7850ADP-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark
Hilado completo01AM0555
Cinta adhesiva50AC9667
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id12A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0195ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia35.7W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
12A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0195ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
35.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI7850ADP-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
