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SI7820DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 200V, 2.6A, POWERPAK 1212
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7820DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark11AN9299
Rango de ProductoPWM-Optimized TrenchFET Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.020 |
| 50+ | $1.980 |
| 100+ | $1.380 |
| 250+ | $1.260 |
| 500+ | $1.130 |
| 1000+ | $1.080 |
| 2500+ | $1.050 |
| 5000+ | $1.010 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7820DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark11AN9299
Rango de ProductoPWM-Optimized TrenchFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id2.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.25ohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)6V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia1.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoPWM-Optimized TrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.6A
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
6V
Disipación de Potencia
1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.25ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
PWM-Optimized TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
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US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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