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SI7469DP-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | SI7469DP-T1-E3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)22M8866RL Cinta adhesiva22M8866 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
8,280 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.060 | $4.06 |
| Total Precio | $4.06 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.060 |
| 50+ | $2.260 |
| 100+ | $2.090 |
| 250+ | $1.940 |
| 500+ | $1.780 |
| 1000+ | $1.740 |
| 2500+ | $1.710 |
| 5000+ | $1.670 |
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Información del producto
| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | SI7469DP-T1-E3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)22M8866RL Cinta adhesiva22M8866 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | Canal P |
| Transistor, Polaridad | Canal P |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 80 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 28 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.021ohm |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.025 |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia Pd | 83W |
| Diseño de Transistor | PowerPAK SO |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| Disipación de Potencia | 83 |
| No. de Pines | 8Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (04-Feb-2026) |
Resumen del producto
El SI7469DP-T1-E3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal P de -80V. El MOSFET de canal P para aplicaciones de conmutación ahora está disponible con troquel en resistencias de alrededor de 1 mΩ y con la capacidad de manejar 85A.
- Libre de halógenos según la definición de IEC 61249-2-21
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | Canal P |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 80 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.021ohm |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Disipación de Potencia Pd | 83W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| No. de Pines | 8Pines |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Transistor, Polaridad | Canal P |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 28 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.025 |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Diseño de Transistor | PowerPAK SO |
| Disipación de Potencia | 83 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (04-Feb-2026) |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI7469DP-T1-E3
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Y-Ex RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (04-Feb-2026) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
| Trazabilidad del producto |