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SI7116DN-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 16.4 A, 0.0078 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7116DN-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)27K9995RL
Cinta adhesiva27K9995
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.070 | $3.07 |
| Total Precio | $3.07 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.070 |
| 50+ | $1.710 |
| 100+ | $1.590 |
| 250+ | $1.470 |
| 500+ | $1.350 |
| 1000+ | $1.320 |
| 2500+ | $1.300 |
| 5000+ | $1.270 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7116DN-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)27K9995RL
Cinta adhesiva27K9995
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id16.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0078
Resistencia de Activación Rds(on)0.0078ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd800mW
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia800
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SI7116DN-T1-E3 es un MOSFET de potencia en modo de canal N TrenchFET® de 40 VDS adecuado para la rectificación síncrona, el interruptor intermedio y las aplicaciones de sincronización síncrona.
- Nuevo paquete PowerPAK® de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1.07 mm
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- PWM optimizado para alta eficiencia
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0078
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
800mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
16.4
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0078ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia
800
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI7116DN-T1-E3
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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