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SI6562CDQ-T1-GE3
MOSFET DUAL,CAN COMPLEMENTARIO N Y P
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark97W2679
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.630 |
| 10+ | $1.030 |
| 100+ | $0.685 |
| 500+ | $0.642 |
| 1000+ | $0.605 |
| 2500+ | $0.571 |
| 10000+ | $0.561 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI6562CDQ-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark97W2679
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.7A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6.7A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.18
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.18
Diseño de TransistorTSSOP
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.6W
Disipación de Potencia de Canal P1.6W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
The SI6562CDQ-T1-GE3 is a N/P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.
- TrenchFET® power MOSFET
- 20V drain source voltage Vds P channel and 20V drain source voltage Vds N
- 6.7A continuous drain current
- 8 pin TSSOP package
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6.7A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.18
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.6W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.7A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.18
Diseño de Transistor
TSSOP
Disipación de Potencia de Canal N
1.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI6562CDQ-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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