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SI4936CDY-T1-GE3
MOSFET, NN-CH, 30V, 5.8A, SO8
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4936CDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante48 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6304
Re-reeling (Rollos a medida)55R1929RL
Cinta adhesiva55R1929
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3,076 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 1 | $0.423 | $0.00 |
| Total Precio | $0.42 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.910 |
| 50+ | $0.417 |
| 100+ | $0.370 |
| 250+ | $0.328 |
| 500+ | $0.285 |
| 1000+ | $0.279 |
| 2500+ | $0.274 |
| 5000+ | $0.268 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.423 |
| 5000+ | $0.415 |
| 7500+ | $0.391 |
| 12500+ | $0.371 |
| 25000+ | $0.352 |
| 62500+ | $0.341 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4936CDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante48 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6304
Re-reeling (Rollos a medida)55R1929RL
Cinta adhesiva55R1929
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N5.8
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.033
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.3
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
5.8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.033
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto