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SI4840BDY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 19 A, 0.009 ohm, NSOIC, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | SI4840BDY-T1-GE3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 27 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)05W6950RL Cinta adhesiva05W6950 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
1,926 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.260 | $2.26 |
| Total Precio | $2.26 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.260 |
| 50+ | $1.220 |
| 100+ | $1.130 |
| 250+ | $1.040 |
| 500+ | $0.945 |
| 1000+ | $0.926 |
| 2500+ | $0.907 |
| 5000+ | $0.888 |
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Información del producto
| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | SI4840BDY-T1-GE3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 27 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)05W6950RL Cinta adhesiva05W6950 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | Canal N |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 40 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 19 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.0074ohm |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.009 |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia Pd | 6W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| Diseño de Transistor | NSOIC |
| Disipación de Potencia | 6 |
| No. de Pines | 8Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (04-Feb-2026) |
Resumen del producto
El SI4840BDY-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 40 VDS adecuado para rectificación síncrona, aplicaciones POL y IBC.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | Canal N |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 40 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.0074ohm |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Disipación de Potencia Pd | 6W |
| Diseño de Transistor | NSOIC |
| No. de Pines | 8Pines |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 19 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.009 |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| Disipación de Potencia | 6 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (04-Feb-2026) |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4840BDY-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | Lead (04-Feb-2026) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
| Trazabilidad del producto | |
 | Proposition 65 |