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SI4840BDY-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 19 A, 0.009 ohm, SOIC, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | SI4840BDY-T1-E3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 27 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)05W6949RL Cinta adhesiva05W6949 |
| Rango de Producto | TrenchFET Series |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
2,500 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.610 | $2.61 |
| Total Precio | $2.61 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.610 |
| 50+ | $1.680 |
| 100+ | $1.240 |
| 250+ | $1.160 |
| 500+ | $1.070 |
| 1000+ | $0.998 |
| 2500+ | $0.946 |
| 5000+ | $0.927 |
nota de línea
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Información del producto
| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | SI4840BDY-T1-E3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 27 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)05W6949RL Cinta adhesiva05W6949 |
| Rango de Producto | TrenchFET Series |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 40 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 19 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.009 |
| Diseño de Transistor | SOIC |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 1 |
| Disipación de Potencia | 6 |
| No. de Pines | 8Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | TrenchFET Series |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (04-Feb-2026) |
Resumen del producto
The SI4840BDY-T1-E3 is a 40V N-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 6W. Suitable for synchronous rectification.
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
- Halogen-free
Aplicaciones
Industrial
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 19 |
| Diseño de Transistor | SOIC |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia | 6 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 40 |
|---|---|
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.009 |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 1 |
| No. de Pines | 8Pines |
| Rango de Producto | TrenchFET Series |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (04-Feb-2026) |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4840BDY-T1-E3
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | Lead (04-Feb-2026) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
| Trazabilidad del producto | |
 | Proposition 65 |