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SI4532CDY-T1-GE3
MOSFET, COMPLEMENTARY, 30V, 6A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark96AJ0116
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark96AJ0116
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.038ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.038ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.78W
Disipación de Potencia de Canal P2.78W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.038ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2.78W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.038ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.78W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Alternativas para el número de pieza SI4532CDY-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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