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SI4401DDY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 16.1 A, 0.015 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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| 25+ | $0.766 |
| 50+ | $0.696 |
| 100+ | $0.626 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4401DDY-T1-GE3
No. Parte Newark69W7198
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id16.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.015
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia6.3
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
16.1
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
6.3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.015
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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