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SI4288DY-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal N, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4288DY-T1-GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6505
Cinta adhesiva70AC6505
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.140 | $2.14 |
| Total Precio | $2.14 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.140 |
| 10+ | $1.360 |
| 25+ | $1.210 |
| 50+ | $1.060 |
| 100+ | $0.904 |
| 250+ | $0.823 |
| 500+ | $0.742 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4288DY-T1-GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6505
Cinta adhesiva70AC6505
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id9.2A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N9.2A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P9.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0165ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0165ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.1W
Disipación de Potencia de Canal P3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El SI4288DY-T1-GE3 es un MOSFET de doble canal N alojado en un paquete de montaje en superficie. Es adecuado para aplicaciones de convertidor CCFL, convertidor CD a CD y HDD.
- Libre de halógenos
- TrenchFET® power MOSFET
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
9.2A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0165ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.1W
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Intensidad Drenador Continua Id
9.2A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
9.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0165ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI4288DY-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto
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