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SI4134DY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 14 A, 0.014 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4134DY-T1-GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)55R1920
Cinta adhesiva55R1920
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.210 | $1.21 |
| Total Precio | $1.21 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.210 |
| 10+ | $0.756 |
| 25+ | $0.670 |
| 50+ | $0.584 |
| 100+ | $0.497 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4134DY-T1-GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)55R1920
Cinta adhesiva55R1920
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id14
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.014
Resistencia de Activación Rds(on)0.0115ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8
Disipación de Potencia5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza SI4134DY-T1-GE3
2 productos encontrados
Resumen del producto
El SI4134DY-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 30 VDS adecuado para aplicaciones de conversión de CD a CD.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
14
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0115ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.014
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia Pd
5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto