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SI4116DY-T1-GE3
MOSFET, N CH, 25V, 18A, 8SOIC
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4116DY-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)37AJ0969
Cinta adhesiva37AJ0969
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4116DY-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)37AJ0969
Cinta adhesiva37AJ0969
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Intensidad Drenador Continua Id18A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8600µohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente600mV
Disipación de Potencia5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para el número de pieza SI4116DY-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
18A
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8600µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
600mV
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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