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SI4100DY-T1-E3
N-CH MOSFET SO-8 100V 63MOHM 10V
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4100DY-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark11AN9277
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 39 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.120 |
| 50+ | $1.360 |
| 100+ | $0.912 |
| 250+ | $0.822 |
| 500+ | $0.732 |
| 1000+ | $0.663 |
| 2500+ | $0.591 |
| 5000+ | $0.590 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.12
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4100DY-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark11AN9277
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id6.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.063ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia6W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6.8A
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.063ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidad del producto