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SI3460DDV-T1-BE3
P-CH MOSFET TSOP-6 60V 180MOHM 10V
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3460DDV-T1-BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark11AN9275
Rango de ProductoTrenchFET Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.708 |
| 50+ | $0.441 |
| 100+ | $0.287 |
| 250+ | $0.254 |
| 500+ | $0.221 |
| 1000+ | $0.194 |
| 2500+ | $0.180 |
| 5000+ | $0.165 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3460DDV-T1-BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark11AN9275
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id7.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028ohm
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia2.7W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7.9A
Diseño de Transistor
TSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
2.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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