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SI2365EDS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 5.9 A, 0.032 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2365EDS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6497RL
Cinta adhesiva70AC6497
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.578 | $0.58 |
| Total Precio | $0.58 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.578 |
| 50+ | $0.359 |
| 100+ | $0.227 |
| 250+ | $0.199 |
| 500+ | $0.170 |
| 1000+ | $0.151 |
| 2500+ | $0.148 |
| 5000+ | $0.145 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2365EDS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6497RL
Cinta adhesiva70AC6497
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id5.9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.032
Resistencia de Activación Rds(on)0.0265ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.7W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia1.7
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Suitable for power management applications for portable and consumer i.e load switches and DC/DC converters
- TrenchFET® Power MOSFET
- 100% Rg Tested
- Built-in ESD Protection - Typical ESD Performance 3000V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.032
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
1.7W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
5.9
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0265ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
1.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI2365EDS-T1-GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto