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SI2323DDS-T1-BE3
P-CH MOSFET SOT-23 20V 39MOHM 4.5V
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2323DDS-T1-BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark11AN9260
Rango de ProductoTrenchFET Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.020 |
| 50+ | $0.691 |
| 100+ | $0.442 |
| 250+ | $0.382 |
| 500+ | $0.322 |
| 1000+ | $0.281 |
| 2500+ | $0.256 |
| 5000+ | $0.230 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2323DDS-T1-BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark11AN9260
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id5.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.039ohm
Diseño de TransistorTO-236
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia1.7W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.3A
Diseño de Transistor
TO-236
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.039ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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