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SI2319CDS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2319CDS-T1-GE3
No. Parte Newark
Hilado completo86R3869
Cinta adhesiva05W6934
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 41 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.283 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.197 |
| 6000+ | $0.188 |
| 12000+ | $0.165 |
| 18000+ | $0.163 |
| 30000+ | $0.161 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2319CDS-T1-GE3
No. Parte Newark
Hilado completo86R3869
Cinta adhesiva05W6934
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id4.4
Resistencia de Activación Rds(on)0.064ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.077
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Resumen del producto
El SI2319CDS-T1-GE3 es un TrenchFET® Power MOSFET de canal P con una temperatura de funcionamiento de 175°C.
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
Advertencias
La demanda del mercado de este producto ha causado una extensión en los plazos de entrega, las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.064ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.077
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Alternativas para el número de pieza SI2319CDS-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto