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SI2318HDS-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 5.6A, TO-236
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2318HDS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark51AM4587
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.413 |
| 10+ | $0.364 |
| 25+ | $0.319 |
| 50+ | $0.266 |
| 100+ | $0.222 |
| 250+ | $0.186 |
| 500+ | $0.155 |
| 1000+ | $0.126 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$2.06
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2318HDS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark51AM4587
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id5.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.042ohm
Diseño de TransistorTO-236
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia2.1W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.6A
Diseño de Transistor
TO-236
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.042ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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