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SI1425DH-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 3A, SOT-363
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1425DH-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante29 semanas
No. Parte Newark22AM2339
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.413 |
| 10+ | $0.364 |
| 25+ | $0.319 |
| 50+ | $0.266 |
| 100+ | $0.222 |
| 250+ | $0.186 |
| 500+ | $0.155 |
| 1000+ | $0.126 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1425DH-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante29 semanas
No. Parte Newark22AM2339
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.035ohm
Diseño de TransistorSOT-363
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia2.8W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3A
Diseño de Transistor
SOT-363
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.035ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen V Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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