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SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 1.4 A, 0.132 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1308EDL-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)05AC7745RL
Cinta adhesiva05AC7745
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Su número de pieza
5,179 En Inventario
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Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.659 | $0.66 |
| Total Precio | $0.66 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.659 |
| 50+ | $0.318 |
| 100+ | $0.284 |
| 250+ | $0.254 |
| 500+ | $0.223 |
| 1000+ | $0.219 |
| 2500+ | $0.214 |
| 5000+ | $0.210 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1308EDL-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)05AC7745RL
Cinta adhesiva05AC7745
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id1.4
Resistencia de Activación Rds(on)0.11ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.132
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd500mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Diseño de TransistorSOT-323
Disipación de Potencia500
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
The SI1308EDL-T1-GE3 is a 30V N-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 500mW.
- PWM optimized for fast switching
- 100% Rg Tested
- Up to 1800V ESD protection
- Halogen-free
Advertencias
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.11ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-323
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.132
Disipación de Potencia Pd
500mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie TrenchFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI1308EDL-T1-GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto