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SI1021R-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 190 mA, 4 ohm, SOT-416, Montaje Superficial
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| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | SI1021R-T1-GE3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 semanas |
| No. Parte Newark | 69W7170 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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Información del producto
| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | SI1021R-T1-GE3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 semanas |
| No. Parte Newark | 69W7170 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | Canal P |
| Tipo de Canal | Canal P |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 60 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 190 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 4 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 8ohm |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 4.5 |
| Disipación de Potencia Pd | 250mW |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 2 |
| Diseño de Transistor | SOT-416 |
| Disipación de Potencia | 250 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (21-Jan-2025) |
Resumen del producto
- MOSFET de potencia TrenchFET® de canal P de 60V (D-S)
- Conmutación lado-alto
- Baja resistencia de 4 ohms
- Umbral bajo de - 2V (típico)
- Velocidad de conmutación rápida de 20ns (típica)
- Baja capacitancia de entrada de 20pF (típica)
- Paquete miniatura
- Protección contra ESD de 2KV
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | Canal P |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 60 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 4 |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Disipación de Potencia Pd | 250mW |
| Diseño de Transistor | SOT-416 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Tipo de Canal | Canal P |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 190 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 8ohm |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 4.5 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 2 |
| Disipación de Potencia | 250 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (21-Jan-2025) |
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (21-Jan-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |