
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.665 |
| 5000+ | $0.641 |
Información del producto
Resumen del producto
El IRLL110TRPBF es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente y baja resistencia de encendido. El paquete está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura en fase de vapor, infrarrojo o onda. El diseño exclusivo de su paquete permite una fácil selección y colocación automáticas al igual que con otros paquetes SOT o SOIC, pero tiene la ventaja adicional de un rendimiento térmico mejorado debido a una pestaña ampliada para el disipador de calor. Es posible una disipación de potencia superior a 1,25 W en una aplicación típica de montaje en superficie.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Unidad de puerta de nivel lógico
- RDS (ON) especificado en VGS = 4 y 5V
- Montaje Superficial
Especificaciones técnicas
Canal N
100
0.54ohm
Montaje Superficial
3.1W
SOT-223
4Pines
-
MSL 1 - Unlimited
Canal N
1.5
0.54
5
1
3.1
150
-
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRLL110TRPBF
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Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto
