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IRFR9220TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFR9220TRPBF
No. Parte Newark05W6864
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id3.6
Resistencia de Activación Rds(on)1.5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd42W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Diseño de TransistorTO-252AA
Disipación de Potencia42
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
1.5ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-252AA
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5
Disipación de Potencia Pd
42W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia
42
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFR9220TRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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