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IRFR9210TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 200 V, 1.9 A, 3 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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| 50+ | $1.360 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFR9210TRPBF
No. Parte Newark05W6863
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id1.9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3
Resistencia de Activación Rds(on)3ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd25W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Diseño de TransistorTO-252AA
Disipación de Potencia25
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-252AA
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.9
Resistencia de Activación Rds(on)
3ohm
Disipación de Potencia Pd
25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia
25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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