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IRFR110TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFR110TRPBF
No. Parte Newark05W6853
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id4.3
Resistencia de Activación Rds(on)0.54ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.54
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd25W
Diseño de TransistorTO-252AA
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia25
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.54ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.54
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia
25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFR110TRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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