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IRFP450APBF
MOSFET Transistor, N Channel, 14 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.850 |
| 10+ | $3.160 |
| 25+ | $3.010 |
| 50+ | $2.880 |
| 100+ | $2.730 |
| 500+ | $2.370 |
| 1000+ | $2.200 |
| 2500+ | $2.130 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFP450APBFCopiar
No. Parte Newark67T1297
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id14A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.4ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia190W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para el número de pieza IRFP450APBF
2 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.4ohm
Diseño de Transistor
TO-247AC
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
14A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
190W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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