Imprimir página
IRFBG30PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFBG30PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante50 semanas
No. Parte Newark63J6702
Su número de pieza
349 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.880 |
| 10+ | $2.360 |
| 100+ | $2.070 |
| 500+ | $1.710 |
| 1000+ | $1.640 |
| 2500+ | $1.580 |
| 5000+ | $1.560 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.88
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFBG30PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante50 semanas
No. Parte Newark63J6702
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Intensidad Drenador Continua Id3.1
Resistencia de Activación Rds(on)5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd125W
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia125
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Alternativas para el número de pieza IRFBG30PBF
2 productos encontrados
Resumen del producto
El IRFBG30PBF es un MOSFET de potencia de tercera generación de canal N diseñado con la combinación de conmutación rápida, baja resistencia de encendido y rentabilidad.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Conmutación rápida
- Facilidad de paralelismo
- Requerimientos controlador sencillo
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia de Activación Rds(on)
5ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
