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IRFBG20PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 1 kV, 1.4 A, 11 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFBG20PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark63J6701
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.780 |
| 10+ | $3.620 |
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| 500+ | $2.100 |
| 1000+ | $1.980 |
| 2500+ | $1.890 |
| 5000+ | $1.840 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFBG20PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark63J6701
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Intensidad Drenador Continua Id1.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente11
Resistencia de Activación Rds(on)11ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd54W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia54
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRFBG20PBF es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 1000V con configuración única. Este Power MOSFET de tercera generación de Vishay proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto del dispositivo y baja resistencia de encendido. El paquete es universalmente preferido en niveles de disipación de potencia a aproximadamente 50W. La baja temperatura térmica contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Conmutación rápida
- Facilidad de paralelismo
- Requerimientos controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
11
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.4
Resistencia de Activación Rds(on)
11ohm
Disipación de Potencia Pd
54W
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
54
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFBG20PBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto