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IRF9540PBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 19 A, 0.2 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF9540PBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 27 semanas |
| No. Parte Newark | 63J7432 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.130 |
| 10+ | $1.990 |
| 100+ | $1.620 |
| 500+ | $1.460 |
| 1000+ | $1.430 |
| 2500+ | $1.400 |
| 5000+ | $1.370 |
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Información del producto
| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF9540PBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 27 semanas |
| No. Parte Newark | 63J7432 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | Canal P |
| Transistor, Polaridad | Canal P |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 19 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.2ohm |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.2 |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Disipación de Potencia Pd | 150W |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Diseño de Transistor | TO-220 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| Disipación de Potencia | 150 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Calificación | - |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (04-Feb-2026) |
Resumen del producto
El IRF9540PBF es un MOSFET de potencia de canal P de -100 V que proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia y rentabilidad. La baja resistencia térmica contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Conmutación rápida
- Facilidad de paralelismo
- Requerimientos controlador sencillo
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Resistencia térmica de 1°C/W, de unión a carcasa
- Resistencia térmica de 62°C/W, unión a ambiente
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | Canal P |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.2ohm |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Transistor, Polaridad | Canal P |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 19 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.2 |
| Disipación de Potencia Pd | 150W |
| Diseño de Transistor | TO-220 |
| Disipación de Potencia | 150 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (04-Feb-2026) |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF9540PBF
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | Lead (04-Feb-2026) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
| Trazabilidad del producto |