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IRF740LCPBF
MOSFET POT, CANAL N, 400V, 10A
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF740LCPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark38K2847
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.190 |
| 10+ | $2.110 |
| 100+ | $1.780 |
| 500+ | $1.560 |
| 1000+ | $1.540 |
| 2500+ | $1.510 |
| 10000+ | $1.480 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF740LCPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark38K2847
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400
Intensidad Drenador Continua Id10
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.55
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia125
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.55
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRF740LCPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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