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IRF644PBF
MOSFET, N, 250V, 14A, TO-220
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF644PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante60 semanas
No. Parte Newark38K2827
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.760 |
| 10+ | $1.420 |
| 25+ | $1.310 |
| 50+ | $1.210 |
| 100+ | $1.090 |
| 500+ | $0.985 |
| 1000+ | $0.876 |
| 2500+ | $0.823 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF644PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante60 semanas
No. Parte Newark38K2827
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250V
Intensidad Drenador Continua Id14A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.28ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia125W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
14A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.28ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para el número de pieza IRF644PBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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