Imprimir página
IRF644PBF-BE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF644PBF-BE3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 64 semanas |
| No. Parte Newark | 06AJ9158 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
792 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.500 |
| 10+ | $1.810 |
| 25+ | $1.740 |
| 50+ | $1.670 |
| 100+ | $1.580 |
| 250+ | $1.480 |
| 500+ | $1.390 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.50
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF644PBF-BE3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 64 semanas |
| No. Parte Newark | 06AJ9158 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | Canal N |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 250 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 14 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.28 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.28ohm |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| Disipación de Potencia | 125 |
| Disipación de Potencia Pd | 125W |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (04-Feb-2026) |
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | Canal N |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 250 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.28 |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia | 125 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (04-Feb-2026) |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 14 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.28ohm |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| Disipación de Potencia Pd | 125W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | - |
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | Lead (04-Feb-2026) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
| Trazabilidad del producto |