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IRF644PBF-BE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF644PBF-BE3
No. Parte Newark06AJ9158
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id14
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.28
Resistencia de Activación Rds(on)0.28ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia125
Disipación de Potencia Pd125W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.28
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
125
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
14
Resistencia de Activación Rds(on)
0.28ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto