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IRF520SPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
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| 10+ | $1.300 |
| 25+ | $1.210 |
| 50+ | $1.120 |
| 100+ | $1.010 |
| 500+ | $0.909 |
| 1000+ | $0.796 |
| 2500+ | $0.747 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF520SPBF
No. Parte Newark86R2453
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id9.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.27
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia60
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
9.2
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
60
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.27
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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