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IRF510SPBF
MOSFET Transistor, N Channel, 5.6 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF510SPBF
No. Parte Newark38K2798
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.960 |
| 10+ | $0.973 |
| 25+ | $0.956 |
| 50+ | $0.938 |
| 100+ | $0.921 |
| 500+ | $0.868 |
| 1000+ | $0.803 |
| 2500+ | $0.755 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF510SPBF
No. Parte Newark38K2798
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id5.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.54ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia43W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.54ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
5.6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
43W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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