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2N7002E-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 240 mA, 3 ohm, TO-236, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte Fabricante2N7002E-T1-E3
No. Parte Newark06J8893
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id240
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3
Resistencia de Activación Rds(on)3ohm
Diseño de TransistorTO-236
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia350
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3
Diseño de Transistor
TO-236
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
240
Resistencia de Activación Rds(on)
3ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
350mW
Disipación de Potencia
350
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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