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2N4416A
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -35 V, 15 mA, -6 V, TO-206AF, 4 Pines, 200 °C
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte Fabricante2N4416ACopiar
No. Parte Newark13C1993
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-35V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-35V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula-
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero15mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-6V
Diseño de TransistorTO-206AF
Tipo de TransistorJFET
No. de Pines4 Pines
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-35V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-6V
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-35V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
15mA
Diseño de Transistor
TO-206AF
No. de Pines
4 Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto