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UJ4C075060B7S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 25.8 A, 750 V, 58 mohm, D2PAK
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ4C075060B7SCopiar
No. Parte Newark78AK8924
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| Cantidad | Precio | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $7.580 | $4.260 |
| 10+ | $5.140 | $4.260 |
| 25+ | $4.720 | $4.260 |
| 50+ | $4.300 | $4.260 |
| 100+ | $3.870 | $3.870 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ4C075060B7SCopiar
No. Parte Newark78AK8924
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id25.8
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente58
Diseño de TransistorD2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6
Disipación de Potencia128
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
25.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
58
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750
Diseño de Transistor
D2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
12
Disipación de Potencia
128
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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