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UJ3N120070K3S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ3N120070K3SCopiar
No. Parte Newark47AK1798
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| Cantidad | Precio | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $14.030 | $8.280 |
| 10+ | $13.110 | $8.280 |
| 25+ | $12.460 | $8.280 |
| 50+ | $11.810 | $8.280 |
| 100+ | $11.380 | $8.280 |
| 250+ | $10.920 | $8.280 |
| 500+ | $10.730 | $8.280 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ3N120070K3SCopiar
No. Parte Newark47AK1798
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id33.5
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.063
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)2
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente11.5
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia254
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.063
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
11.5
Disipación de Potencia
254
Rango de Producto
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
33.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
2
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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