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UJ3C120070K4S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 34.5 A, 1.2 kV, 70 mohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ3C120070K4S
No. Parte Newark78AK8909
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
552 En Inventario
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120 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
432 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $17.910 |
| 10+ | $14.810 |
| 25+ | $14.100 |
| 50+ | $13.380 |
| 100+ | $12.670 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$17.91
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ3C120070K4S
No. Parte Newark78AK8909
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id34.5
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente70
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6
Disipación de Potencia254.2
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
34.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
70
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
12
Disipación de Potencia
254.2
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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