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UJ3C065030K3S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 85 A, 650 V, 27 mohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ3C065030K3S
No. Parte Newark47AK1769
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
460 En Inventario
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79 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $18.040 |
| 5+ | $17.240 |
| 10+ | $16.460 |
| 25+ | $15.670 |
| 50+ | $14.600 |
| 100+ | $13.520 |
| 250+ | $12.470 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$18.04
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ3C065030K3S
No. Parte Newark47AK1769
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id85
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente27
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia441
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
85
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
27
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
12
Disipación de Potencia
441
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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