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XPN9R614MC,L1XHQ(O
MOSFET, P-CH, 40V, 40A, TSON
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteXPN9R614MC,L1XHQ(OCopiar
No. Parte Newark83AK8363
Rango de ProductoU-MOSVI Series
Su número de pieza
4,224 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.680 |
| 10+ | $1.430 |
| 25+ | $1.300 |
| 50+ | $1.170 |
| 100+ | $0.986 |
| 250+ | $0.871 |
| 500+ | $0.757 |
| 1000+ | $0.726 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.68
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteXPN9R614MC,L1XHQ(OCopiar
No. Parte Newark83AK8363
Rango de ProductoU-MOSVI Series
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id40A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9600µohm
Diseño de TransistorTSON Advance
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1V
Disipación de Potencia100W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoU-MOSVI Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
40A
Diseño de Transistor
TSON Advance
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
100W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9600µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
U-MOSVI Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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