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XPJ1R504PB,LXHQ(O
MOSFET, N-CH, 40V, 120A, S-TOGL
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteXPJ1R504PB,LXHQ(OCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark15AN2964
Rango de ProductoTrenchFET Series
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1,500 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.310 |
| 50+ | $2.040 |
| 100+ | $1.850 |
| 250+ | $1.660 |
| 500+ | $1.460 |
| 1000+ | $1.260 |
| 2500+ | $1.150 |
| 5000+ | $1.100 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.31
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteXPJ1R504PB,LXHQ(OCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark15AN2964
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00154ohm
Diseño de TransistorS-TOGL
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia197W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Diseño de Transistor
S-TOGL
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
197W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00154ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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