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XPJ1R004PB,LQ(O
MOSFET, N-CH, 40V, 160A, S-TOGL ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteXPJ1R004PB,LQ(OCopiar
No. Parte Newark12AN1228
Rango de ProductoU-MOSIX-H Series
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.960 |
| 10+ | $2.610 |
| 25+ | $2.350 |
| 50+ | $2.100 |
| 100+ | $1.830 |
| 250+ | $1.570 |
| 500+ | $1.430 |
| 1000+ | $1.350 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.96
nota de línea
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteXPJ1R004PB,LQ(OCopiar
No. Parte Newark12AN1228
Rango de ProductoU-MOSIX-H Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id160A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.001ohm
Diseño de TransistorS-TOGL
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia223W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoU-MOSIX-H Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
160A
Diseño de Transistor
S-TOGL
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
223W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.001ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
U-MOSIX-H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto