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XPH3R114MC,L1XHQ(O
MOSFET, P-CH, 40V, 100A, SOP
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteXPH3R114MC,L1XHQ(OCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark83AK8352
Rango de ProductoU-MOSVI Series
Su número de pieza
2,572 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.790 |
| 10+ | $2.450 |
| 25+ | $2.210 |
| 50+ | $1.980 |
| 100+ | $1.730 |
| 250+ | $1.480 |
| 500+ | $1.350 |
| 1000+ | $1.280 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.79
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteXPH3R114MC,L1XHQ(OCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark83AK8352
Rango de ProductoU-MOSVI Series
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3100µohm
Diseño de TransistorSOP Advance
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1V
Disipación de Potencia170W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoU-MOSVI Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Diseño de Transistor
SOP Advance
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
170W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3100µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
U-MOSVI Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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