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TW054V65C,LQ(S
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 36A, DFN
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTW054V65C,LQ(SCopiar
No. Parte Newark27AM4911
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 29 semanas
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $16.100 |
| 10+ | $14.810 |
| 25+ | $13.680 |
| 50+ | $12.580 |
| 100+ | $11.470 |
| 250+ | $10.700 |
| 500+ | $10.060 |
| 1000+ | $9.550 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$16.10
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTW054V65C,LQ(SCopiar
No. Parte Newark27AM4911
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id36A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.081ohm
Diseño de TransistorDFN
No. de Pines5Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia132W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
36A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.081ohm
No. de Pines
5Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
DFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
132W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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