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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $37.340 |
| 5+ | $35.840 |
| 10+ | $34.320 |
| 25+ | $32.770 |
| 50+ | $31.110 |
| 100+ | $30.610 |
| 250+ | $29.880 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTW030Z120C,S1F(SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark80AK5510
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id60A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.03ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia249W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.03ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
249W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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