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TRS8E65H,S1Q(S
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 23 A, 22 nC, TO-220
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.290 |
| 10+ | $2.930 |
| 25+ | $2.650 |
| 50+ | $2.520 |
| 100+ | $2.270 |
| 250+ | $2.010 |
| 500+ | $1.970 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTRS8E65H,S1Q(S
No. Parte Newark79AK2904
Rango de Producto-
Configuración de DiodoSingle
Voltaje Reverso Pico Repetitivo650V
Corriente Directa Promedio23A
Carga Capacitiva Total22nC
Estilo de la Carcasa del DiodoTO-220
No. de Pines2 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Montaje del DiodoThrough Hole
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Rango de Producto
-
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
650V
Carga Capacitiva Total
22nC
No. de Pines
2 Pin
Montaje del Diodo
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Configuración de Diodo
Single
Corriente Directa Promedio
23A
Estilo de la Carcasa del Diodo
TO-220
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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